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參數(shù)資料
| 型號： | IXTH13N110 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | MEGA MOS FET |
| 中文描述： | 13 A, 1100 V, 0.92 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| 封裝： | TO-247AD, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | IXTH13N110 |
IXYS Corporation
3540 Bassett Street, Santa Clara,CA 95054
Tel: 408-982-0700 Fax: 408-496-0670
IXYS Semiconductor
Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim, Germany
Tel: +49-6206-5030 Fax: +49-6206-503629
I
XYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXTH 11N80
IXTM 11N80
IXTH 13N80
IXTM 13N80
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
B
G
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
V
GS(th)
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
R
D
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
I
D
- Amperes
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
R
D
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
1.20
1.25
1.30
1.35
1.40
V
GS
= 10V
T
J
= 25°C
V
GS
- Volts
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
T
J
= 25°C
V
DS
= 10V
V
DS
- Volts
0
2
4
6
8
10
12
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
Fig. 3 R
DS(on)
vs. Drain Current
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH11P50 | Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
| IXTH12N120 | Power MOSFET, Avalanche Rated High Voltage |
| IXTH12N50A | Standard Power MOSFET |
| IXTM12N50A | Standard Power MOSFET |
| IXTH12N90 | N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓900V,導(dǎo)通電阻0.90Ω的N溝道增強型MegaMOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXTH13N65 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH13N80 | 功能描述:MOSFET 13 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH13N90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH13P15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH13P20 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-218VAR |
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