參數(shù)資料
型號(hào)： IXTH50P085
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Standard Power MOSFET
中文描述： 50 A, 85 V, 0.055 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 550K
代理商： IXTH50P085
2004 IXYS All rights reserved
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
-140
-120
-100
-80
-60
-40
-20
0
-20
-18
-16
-14
-12
-10
-8
V
D S
- Volts
-6
-4
-2
0
I
D
V
GS
= -10V
-5V
-6V
-7V
-8V
-9V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
-2.5
-2
-1.5
-1
V
D S
- Volts
-0.5
0
I
D
V
GS
= -10V
-9V
-5V
-6V
-7V
-8V
Fig. 4. R
DS(on)
Normalized to I
D25
Value vs.
Junction Temperature
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
R
D
I
D
= -50A
I
D
= -25A
V
GS
= -10V
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- Degrees Centigrade
I
D
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to I
D25
Value vs. I
D
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
-125
-100
-75
-50
I
D
- Amperes
-25
0
R
D
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
V
GS
= -10V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
-5
-4
-3
-2
V
D S
- Volts
-1
0
I
D
V
GS
= -10V
-9V
-5V
-6V
-7V
-8V
IXTH 50P085
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTH50P10 Standard Power MOSFET
IXTH50N20 RES, 11K OHM, 1%, 1/10W, 100PPM CHIP, 0805
IXTH68N20 High Current MegaMOSFET
IXTK74N20 High Current MegaMOSFET
IXTH6N120 High Voltage Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTH50P10 功能描述:MOSFET -50 Amps -100V 0.055 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH52P10P 功能描述:MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH54N30T 功能描述:MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH56N15T 功能描述:MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH5N100 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Standard Power MOSFET
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