參數(shù)資料
型號： IXTK100N25P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
中文描述： 100 A, 250 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 617K
代理商： IXTK100N25P
2004 IXYS All rights reserved
IXTQ 100N25P IXTT 100N25P
IXTK 100N25P
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25
o
C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
0
2
4
6
8
V
DS
- Volts
10
12
14
16
18
20
I
D
V
GS
= 10V
7V
6V
8V
9V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125
o
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
9V
8V
5V
6V
7V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25
o
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
DS
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
6V
5V
Fig. 4. R
DS(on
)
Normalized to 0.5 I
D25
Value vs. Junction Temperature
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
R
D
I
D
= 100A
I
D
= 50A
V
GS
= 10V
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- Degrees Centigrade
I
D
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to
0.5 I
D25
Value vs. I
D
0.7
1
1.3
1.6
1.9
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
0
25
50
75
100 125 150 175 200 225 250
I
D
- Amperes
R
D
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
V
GS
= 10V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTQ100N25P PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTT100N25P PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTK102N30P PolarHT Power MOSFET
IXTK120N25P PolarHT Power MOSFET
IXTK120N25 High Current MegaMOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTK102N30P 功能描述:MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK110N20L2 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK110N30 功能描述:MOSFET 110 Amps 300V 0.026 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK120N20P 功能描述:MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK120N25 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.020 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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