參數(shù)資料
型號(hào)： IXTK200N10P
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： PolarHTTM Power MOSFET
中文描述： 200 A, 100 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大小： 567K
代理商： IXTK200N10P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXTK 200N10P
Fig. 11. Capacitance
100
1,000
10,000
100,000
0
5
10
15
V
DS
- Volts
20
25
30
35
40
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
25
50
75
Q
G
- nanoCoulombs
100 125 150 175 200 225 250
V
G
V
DS
= 50V
I
D
= 100A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Input Admittance
0
50
100
150
200
250
300
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
V
G S
- Volts
I
D
T
J
= -40
o
C
25
o
C
150
o
C
Fig. 8. Transconductance
0
20
40
60
80
100
120
140
0
50
100
150
200
250
300
350
I
D
- Amperes
g
f
T
J
= -40
o
C
25
o
C
150
o
C
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0
50
100
150
200
250
300
350
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
V
S D
- Volts
I
S
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
Fig. 12. Forward-Bias
Safe Operating Area
10
100
1000
1
10
100
1000
V
D S
- Volts
I
D
100μs
1ms
DC
T
J
= 175
o
C
T
C
= 25
o
C
R
DS(on)
Limit
10ms
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PDF描述
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