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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXTM21N50 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | MegaMOSFET |
| 中文描述： | 21 A, 500 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
| 封裝： | TO-204AE, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 107K |
| 代理商： | IXTM21N50 |
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
B
G
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
V
GS(th)
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0
10
20
30
21N50
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
R
D
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
I
D
- Amperes
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
R
D
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
V
GS
= 10V
V
GS
- Volts
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
I
D
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
5V
7V
V
GS
= 10V
BV
CES
24N50
V
GS
= 15V
6V
I
D
= 12A
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
IXTH 21N50
IXTM 21N50
IXTH 24N50
IXTM 24N50
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
Fig. 3 R
DS(on)
vs. Drain Current
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTM24N50 | MegaMOSFET |
| IXTH24P20 | Standard Power MOSFET |
| IXTH24N50 | MegaMOSFET |
| IXTH30N45 | N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓450V,導(dǎo)通電阻0.16Ω的N溝道增強(qiáng)型MegaMOSFET) |
| IXTH30N50 | MegaMOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXTM21N55 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-3 |
| IXTM21N60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-3 |
| IXTM22P15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-3 |
| IXTM22P20 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-3 |
| IXTM24N45 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-3 |
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