參數(shù)資料
型號(hào)： IXTN21N100
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： High Voltage MegaMOSTMFETs
中文描述： 21 A, 1000 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOT-227B, MINIBLOC-4
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 137K
代理商： IXTN21N100
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXTK 21N100
IXTN 21N100
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
Fig. 3 R
DS(on)
vs. Drain Current
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
2.50
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
B
G
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
V
GS(th)
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0
5
10
15
20
25
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
R
D
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
I
D
- Amperes
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
R
D
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
V
GS
- Volts
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
I
D
0
5
10
15
20
25
30
35
40
6V
BV
DSS
I
D
= 12A
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 15V
V
GS
= 10V
5V
V
GS
= 10V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
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PDF描述
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IXTN22N100L 功能描述:MOSFET 22 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTN30N100L 功能描述:MOSFET 30 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTN320N10T 功能描述:MOSFET 320 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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