參數(shù)資料
型號： IXTN21N100
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage MegaMOSTMFETs
中文描述： 21 A, 1000 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOT-227B, MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 137K
代理商： IXTN21N100
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXTK 21N100
IXTN 21N100
Fig.7
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Capacitance Curves
Fig.10 Transient Thermal Impedance
Fig.9
Source Current vs. Source
to Drain Voltage
Pulse Width - Seconds
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
R
J
0.001
0.01
0.1
1
V
SD
- Volts
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
C
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
C
rss
C
oss
Gate Charge - nCoulombs
0
50
100
150
200
250
300
V
G
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
= 500V
I
D
= 12A
I
G
= 10mA
C
iss
f = 1 MHz
V
DS
= 25V
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
Single pulse
D = Duty Cycle
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
D=0.2
D=0.5
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PDF描述
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