參數(shù)資料
型號： IXTP110N055P
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： PolarHT Power MOSFET
中文描述： 110 A, 55 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 120K
代理商： IXTP110N055P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXTA 110N055P IXTP 110N055P
IXTQ 110N055P
Fig. 11. Capacitance
100
1000
10000
0
5
10
15
V
- Volts
20
25
30
35
40
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Q
G
- nanoCoulombs
V
G
V
DS
= 22.5V
I
D
= 55A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Input Admittance
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
V
G S
- Volts
I
D
T
J
= -40
o
C
25
o
C
150
o
C
Fig. 8. Transconductance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
50
100
150
200
250
300
I
D
- Amperes
g
f
T
J
= -40
o
C
25
o
C
150
o
C
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0
50
100
150
200
250
300
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
V
S D
- Volts
I
S
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
Fig. 12. Forward-Bias
Safe Operating Area
1
10
100
1000
1
10
100
V
D S
- Volts
I
D
100μs
1ms
DC
T
J
= 175
o
C
T
C
= 25
o
C
R
DS(on)
Limit
10ms
25μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTQ110N055P PolarHT Power MOSFET
IXTA180N055T Trench Gate Power MOSFET
IXTP180N055T Trench Gate Power MOSFET
IXTQ180N055T Trench Gate Power MOSFET
IXTA1N100 High Voltage MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTP110N055T 功能描述:MOSFET 110 Amps 55V 6.7 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP110N055T2 功能描述:MOSFET 110 Amps 55V 0.0066 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP11P15 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220
IXTP11P20 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220
IXTP120N04T2 功能描述:MOSFET 120 Amps 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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