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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXTP110N055P |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | PolarHT Power MOSFET |
| 中文描述： | 110 A, 55 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 120K |
| 代理商： | IXTP110N055P |
2005 IXYS All rights reserved
IXTA 110N055P IXTP 110N055P
IXTQ 110N055P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Resistance
0.01
0.10
1.00
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width - mlliseconds
R
(
o
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTQ110N055P | PolarHT Power MOSFET |
| IXTA180N055T | Trench Gate Power MOSFET |
| IXTP180N055T | Trench Gate Power MOSFET |
| IXTQ180N055T | Trench Gate Power MOSFET |
| IXTA1N100 | High Voltage MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXTP110N055T | 功能描述:MOSFET 110 Amps 55V 6.7 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP110N055T2 | 功能描述:MOSFET 110 Amps 55V 0.0066 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP11P15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220 |
| IXTP11P20 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220 |
| IXTP120N04T2 | 功能描述:MOSFET 120 Amps 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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