參數(shù)資料
型號(hào)： IXTP180N055T
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Trench Gate Power MOSFET
中文描述： 180 A, 55 V, 0.0051 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 117K
代理商： IXTP180N055T
2005 IXYS All rights reserved
IXTA 180N055T IXTP 180N055T
IXTQ 180N055T
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Resistance
0.01
0.10
1.00
0.1
1
10
100
1000
Pulse Wdth - mlliseconds
R
(
o
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTQ180N055T Trench Gate Power MOSFET
IXTA1N100 High Voltage MOSFET
IXTA1N80 High Voltage MOSFET
IXTP1N80 High Voltage MOSFET
IXTY1N80 High Voltage MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTP180N085T 功能描述:MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP180N10T 功能描述:MOSFET MOSFET Id180 BVdass100 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP182N055T 功能描述:MOSFET MOSFET Id182 BVdass55 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP18N60PM 功能描述:MOSFET Polar MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP18P10T 功能描述:MOSFET 18 Amps 100V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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