參數(shù)資料
型號(hào)： IXTQ50N20P
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
中文描述： 50 A, 200 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, TO-3P, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大小： 589K
代理商： IXTQ50N20P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXTA 50N20P IXTP 50N20P
IXTQ 50N20P
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,850,072
4,835,592
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,404,065B1
6,306,728B1
6,162,665
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
6,534,343
6,583,505
Fig. 7. Input Adm ittance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
5
6
7
8
9
10
V
G S
- Volts
I
D
T
J
= 150oC
25oC
-40oC
Fig. 8. Transconductance
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
0
20
40
60
80
100
120
I
D
- Amperes
g
f
T
J
= -40oC
25oC
150oC
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0
25
50
75
100
125
150
0.4
0.6
0.8
V
S D
- Volts
1
1.2
1.4
I
S
T
J
= 150oC
T
J
= 25oC
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
10
20
Q
G
- nanoCoulombs
30
40
50
60
70
V
G
V
DS
= 100V
I
D
= 25A
I
G
= 10m A
Fig. 11. Capacitance
100
1000
10000
0
5
10
15
V
D S
- Volts
20
25
30
35
40
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
1
10
100
1000
10
100
1000
V
D S
- Volts
I
D
100μs
1m s
DC
T
J
= 175oC
T
C
= 25oC
R
DS(on)
Limit
10ms
25μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTA62N15P PolarHT Power MOSFET
IXTP62N15P PolarHT Power MOSFET
IXTQ62N15P PolarHT Power MOSFET
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTQ50N25T 功能描述:MOSFET 50Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ52N30P 功能描述:MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ52P10P 功能描述:MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ54N30T 功能描述:MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ56N15T 功能描述:MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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