參數(shù)資料
型號： IXTY3N50P
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： PolarHV Power MOSFET
中文描述： 3.6 A, 500 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： TO-252AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 241K
代理商： IXTY3N50P
2006 IXYS All rights reserved
IXTA 3N50P IXTP 3N50P
IXTY 3N50P
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25
o
C
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
3
0
1
2
V
D S
- Volts
3
4
5
6
I
D
V
GS
= 10V
8V
7V
6V
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25
o
C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
3
6
9
12
V
D S
- Volts
15
18
21
24
27
30
I
D
V
GS
= 10V
8V
7V
6V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125
o
C
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
3
0
2
4
6
8
10
12
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
8V
7V
5V
6V
Fig. 4. R
DS(on
)
Norm alized to 0.5 I
D25
Value vs. Junction Tem perature
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
R
D
I
D
= 3A
I
D
= 1.5A
V
GS
= 10V
Fig. 5. R
DS(on)
Norm alized to
0.5 I
D25
Value vs. I
D
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
D
- Amperes
R
D
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
V
GS
= 10V
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- Degrees Centigrade
I
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTA3N60P R8C; R8C/2x Series; Microcontroller; Bit Size: 32/16-bit CISC; ROM: 96K; RAM: 5K; ROM Type: Flash memory; CPU: R8C core; Minimum Instruction Execution Time (ns): 50 (@20MHz); Operating Frequency / Supply Voltage: 20MHz/3.0 to 5.5V, 10MHz/2.7 to 5.5V; Operating Ambient Temperature (°C): -40 to 85; Package Code: PLQP0048KB-A (48P6Q-A)
IXTA50N20P PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTP50N20P PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTQ50N20P PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTA62N15P PolarHT Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTY3N60P 功能描述:MOSFET 3 Amps 600V 3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTY44N10T 功能描述:MOSFET 44 Amps 100V 25.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTY48P05T 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTY4N60P 功能描述:MOSFET PolarHV Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTY50N085T 功能描述:MOSFET 50 Amps 85V 20.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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