參數(shù)資料
型號(hào)： J211
廠商： LINEAR INTEGRATED SYSTEMS INC
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： LOW NOISE N-CHANNEL J-FET GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
中文描述： Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
文件大?。?/td> 100K
代理商： J211
1997 Dec 01
8
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel field-effect transistors
J210; J211; J212
Fig.14 Drain current as a function of gate-source
voltage; typical values.
V
DS
= 15 V; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(
μ
A)
0
2
1
3
4
MGM289
10
5
10
2
3
10
1
10
1
10
2
10
3
10
4
VGS (V)
Fig.15 Gate current as a function of drain-gate
voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(pA)
20
16
8
12
4
0
MGM288
10
1
10
4
5
10
3
10
2
10
1
VDG (V)
ID = 10 mA
1 mA
0.1 mA
IGSS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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J38700DX16 Peripheral IC
J38700DX20 Peripheral IC
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參數(shù)描述
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J211_D74Z 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
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