參數(shù)資料
型號： J271
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓30V，最小飽和漏極電流-6mA的P溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
中文描述： P溝道場效應(yīng)（最小柵源擊穿電壓30V的，最小飽和漏極電流，6毫安的P溝道結(jié)型場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 4/4頁
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代理商： J271
J/SST270 Series
4
Siliconix
P-37405—Rev. B, 04-Jul-94
Typical Characteristics (Cont’d)
250
200
150
100
50
0
–1
–10
–100
On-Resistance vs. Drain Current
I
D
– Drain Current (mA)
T
A
= 25 C
V
GS(off)
= 1.5 V
3 V
5 V
300
–55
25
125
0
–15
85
On-Resistance vs. Temperature
T
A
– Temperature ( C)
V
GS(off)
= 1.5 V
3 V
5 V
I
D
= –1 mA
r
DS
changes X 0.7%/ C
240
180
120
60
–35
5
45
65
105
Gate Leakage Current
V
DG
– Drain-Gate Voltage (V)
T
A
= 125 C
T
A
= 25 C
–10 mA
10 nA
100 pA
100 nA
1 nA
–
I
G
10 pA
1 pA
0.1 pA
0
–40
–20
–10
–50
–30
I
GSS
@ 125 C
I
GSS
@ 25 C
I
D
= –10 mA
10
100
1 k
100 k
10 k
100
10
1
Noise Voltage vs. Frequency
f – Frequency (Hz)
V
DS
= –10 V
I
D
= –0.1 mA
–1 mA
Transconductance vs. Drain Current
Output Conductance vs. Drain Current
–0.1
–1
–10
100
10
1
T
A
= –55 C
125 C
I
D
– Drain Current (mA)
I
D
– Drain Current (mA)
g
f
–0.1
–1
–10
100
10
1
T
A
= –55 C
125 C
25 C
V
DS
= –15 V
f = kHz
V
GS(off)
= 3 V
V
GS(off)
= 3 V
V
DS
= –15 V
f = kHz
25 C
–1 mA
–1 mA
(
e
n
/
√
)
–
r
D
–
)
r
D
–
)
S
g
–
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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J271-00005E 制造商:LG Corporation 功能描述:HANDLE,BACK
J271-00005S 制造商:LG Corporation 功能描述:HANDLE,BACK
J271-E3 功能描述:JFET 30V 6mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
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