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參數(shù)資料
| 型號： | J309 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-25V，最小飽和漏極電流12mA的N溝道結型場效應管) |
| 中文描述： | N溝道場效應（最小柵源擊穿電壓- 25V的，最小飽和漏極電流12mA電流的N溝道結型場效應管） |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 98K |
| 代理商： | J309 |
J/SST/U308 Series
Siliconix
S-52424—Rev. F, 14-Apr-97
5
Typical Characteristics (Cont’d)
Output Characteristics
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
–
I
D
50
0
4
2
8
10
40
20
10
0
30
6
–2.4 V
V
GS
= 0 V
–0.4 V
–0.8 V
–1.2 V
–1.6 V
–2.0 V
Transfer Characteristics
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
–
I
D
30
0
–1.2
–0.4
–1.6
–2
24
12
6
0
18
–0.8
T
A
= –55 C
V
GS(off)
= –1.5 V
125 C
Transfer Characteristics
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
–
I
D
100
0
–1.8
–0.6
–2.4
–3
80
40
20
0
60
–1.2
T
A
= –55 C
25 C
V
GS(off)
= –3 V
125 C
30
0
–1.2
–1.6
–0.4
–2
24
12
6
0
–0.8
18
Transconductance vs. Gate-Source Voltage
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
V
GS(off)
= –1.5 V
T
A
= –55 C
125 C
g
f
50
0
–1.8
–2.4
–0.6
–3
40
20
10
0
–1.2
30
Transconductance vs. Gate-Source Voltage
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
T
A
= –55 C
25 C
125 C
V
GS(off)
= –3 V
g
f
V
GS(off)
= –3 V
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
f = 1 kHz
V
DS
= 10 V
f = 1 kHz
25 C
25 C
Output Characteristics
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
= 0 V
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
–0.8 V
–1.0 V
20
0
6
8
2
10
16
8
4
0
4
12
V
GS(off)
= –1.5 V
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