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參數(shù)資料
| 型號： | J309 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-25V，最小飽和漏極電流12mA的N溝道結(jié)型場效應管) |
| 中文描述： | N溝道場效應（最小柵源擊穿電壓- 25V的，最小飽和漏極電流12mA電流的N溝道結(jié)型場效應管） |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 98K |
| 代理商： | J309 |
J/SST/U308 Series
6
Siliconix
S-52424—Rev. F, 14-Apr-97
Typical Characteristics (Cont’d)
1
10
100
100
80
40
20
0
60
V
GS(off)
= –1.5 V
V
GS(off)
= –3 V
On-Resistance vs. Drain Current
I
D
– Drain Current (mA)
1
10
0.1
100
80
40
20
0
60
I
D
– Drain Current (mA)
R
L
10 V
I
D
Assume V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
V
GS(off)
= –1.5 V
V
GS(off)
= –3 V
A
V
–
Circuit Voltage Gain vs. Drain Current
15
0
–12
–16
–20
–4
12
6
3
0
9
–8
Common-Source Input Capacitance
vs. Gate-Source Voltage
V
DS
= 0 V
f = 1 MHz
V
DS
= 5 V
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
Common-Source Reverse Feedback Capacitance
vs. Gate-Source Voltage
10
0
–12
–20
–16
–4
8
4
2
0
6
–8
V
DS
= 0 V
f = 1 MHz
V
DS
= 5 V
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
–
C
r
100
10
1
0.1
100
1000
(
T
A
= 25 C
V
DG
= 10 V
I
D
= 10 mA
Common–Gate
g
ig
b
ig
Input Admittance vs. Frequency
f – Frequency (MHz)
100
10
1
0.1
100
1000
(
T
A
= 25 C
V
DG
= 10 V
I
D
= 10 mA
Common–Gate
–g
fg
b
fg
Forward Admittance vs. Frequency
f – Frequency (MHz)
–
C
i
200
500
200
500
A
V
g
fs
R
L
R
L
g
os
1
r
D
–
)
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| J309 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-92 |
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