參數(shù)資料
型號: JAN2N4236
英文描述: TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5
中文描述: 晶體管|晶體管|進步黨| 80V的五(巴西)總裁| 1A條一(c)|至5
文件頁數(shù): 17/19頁
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代理商: JAN2N4236
MIL-PRF-19500/512E
7
B
E
Die size:
.030 x .030 inch (0.762 x 0.762 mm).
Die thickness:
.008 ±.0016 inch (0.2032 ±0.04064 mm).
Base pad:
.005 inch diameter (0.127 mm).
Emitter pad:
.005 inch diameter (0.127 mm).
Back metal:
Gold, 6500 ± 1950 Ang.
Top metal:
Aluminum, 22500 ±2500 Ang.
Back side:
Collector.
Glassivation:
SiO2, 7500 ± 1500 Ang.
FIGURE 5. JANHC and JANKC (A-version) die dimensions.
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PDF描述
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JAN2N4261 TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-72
JAN2N4261UB BJT
JAN2N427 TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-5
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參數(shù)描述
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