型號: | JAN2N4236 |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|進步黨| 80V的五(巴西)總裁| 1A條一(c)|至5 |
文件頁數(shù): | 5/19頁 |
文件大?。?/td> | 103K |
代理商: | JAN2N4236 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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JAN2N425 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-5 |
JAN2N426 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 18V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-5 |
JAN2N4261 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-72 |
JAN2N4261UB | BJT |
JAN2N427 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-5 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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JAN2N4237 | 功能描述:TRANS NPN 40V 1A TO39 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/581 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 250mA,1V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-39(TO-205AD) 標準包裝:1 |
JAN2N4238 | 制造商: 功能描述: 制造商:Texas Instruments 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
JAN2N4239 | 功能描述:TRANS NPN 80V 1A TO39 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/581 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 250mA,1V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-39(TO-205AD) 標準包裝:1 |
JAN2N424 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
JAN2N425 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-5 |