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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | JAN2N6762 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-3 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五（巴西）直| 4.5AI（四）|至3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/23頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 135K |
| 代理商： | JAN2N6762 |
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MIL-PRF-19500/545D
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FIGURE 6. Maximum safe operating area.
RBB1 = 10
RBB2 = 100
L = 0.3 mH
RL = 0.1
VCC = 10 V dc
IC = 10 nA
VBB1 = 10 V dc
VBB2 = 4 V dc
FIGURE 7. Unclamped inductive load energy test circuit.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| JAN2N6766T1 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:2N6766T1JAN - Bulk |
| JAN2N6768 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET - Bulk |
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