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參數(shù)資料
| 型號： | JANS2N5667 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 300V五（巴西）總裁| 3A條一（c）|至5 |
| 文件頁數(shù)： | 19/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 103K |
| 代理商： | JANS2N5667 |
MIL-PRF-19500/512E
9
4.3 Screening (JANS, JANTX and JANTXV levels only). Screening shall be in accordance with table IV of
MIL-PRF-19500 and as specified herein. The following measurements shall be made in accordance with table I
herein. Devices that exceed the limits of table I herein shall not be acceptable.
Measurement
Screen (see
table IV of
MIL-PRF-19500)
JANS level
JANTX and JANTXV levels
(1) 3c
Required (see 4.3.2)
9
hFE2, ICBO2
Not applicable
11
ICBO2; hFE2; ICBO2 = 100 percent of
initial value or 2 nA dc, whichever is greater;
hFE2 = 15 percent change from initial value.
ICBO2 and hFE2
12
See 4.3.1
13
Subgroups 2 and 3 of table I herein;
ICBO2 = 100 percent of initial value
or 2 nA dc, whichever is greater;
hFE2 = 15 percent change from initial value.
Subgroup 2 of table I herein;
ICBO2 = 100 percent of initial value
or 2 nA dc, whichever is greater;
hFE2 = 15 percent change from initial value.
(1) Thermal impedance may be performed any time after sealing provided temperature cycling is performed in
accordance with MIL-PRF-19500, screen 3 prior to this thermal test.
4.3.1 Power burn-in conditions. Power burn-in conditions are as follows: TA = Room ambient as defined in 4.5 of
MIL-STD-750; VCB = 10-20 V dc; power shall be applied to achieve TJ = 135°C minimum and a minimum power
dissipation = 75 percent of maximum rated PT (see 1.3). NOTE: No heat sink or forced air cooling on the devices
shall be permitted.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JANS2N5667S | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-39 |
| JANSF2N7383 | -200V 300kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-257AA package |
| JANSF2N7389U | -100V 300kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a 18-pin LCC package |
| JANSF2N7390U | -200V 300kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a 18-pin LCC package |
| JANSF2N7394 | 60V 300kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-254AA package |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| JANS2N5667S | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR - Waffle Pack |
| JANS2N6193 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT PNP 100V 5A 3-Pin TO-39 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:PNP TRANSISTOR - Waffle Pack |
| JANS2N6193U3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:PNP TRANSISTOR - Waffle Pack 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:PNP TRANSISTOR - Bulk |
| JANS2N6249T1 | 功能描述:TRANS NPN 200V 10A TO-3 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/510 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:200V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1A，10A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 10A，3V 功率 - 最大值:6W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-254-3，TO-254AA（直引線） 供應商器件封裝:TO-254AA 標準包裝:1 |
| JANS2N6250T1 | 功能描述:TRANS NPN 275V 10A TO-3 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/510 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:275V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1.25A，10A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:8 @ 10A，3V 功率 - 最大值:6W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-254-3，TO-254AA（直引線） 供應商器件封裝:TO-254AA 標準包裝:1 |
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