參數(shù)資料
型號： JANS2N5667
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 300V五（巴西）總裁| 3A條一（c）|至5
文件頁數(shù)： 6/19頁
文件大?。?/td> 103K
代理商： JANS2N5667
MIL-PRF-19500/512E
14
TABLE I. Group A inspection - Continued.
Inspection 1/
MIL-STD-750
Symbol
Limits
Unit
Method
Conditions
Min
Max
Subgroup 2 – Continued
Forward-current
transfer ratio
3076
VCE = 5.0 V dc; IC = 100 mA dc
hFE2
100
300
Forward-current
transfer ratio
3076
VCE = 5.0 V dc; IC = 500 mA dc
pulsed (see 4.5.1)
hFE3
70
Forward-current
transfer ratio
3076
VCE = 5.0 V dc; IC = 1.0 A dc;
pulsed (see 4.5.1)
hFE4
25
Collector – emitter
saturated voltage
3071
IC = 150 mA dc; IB = 15 mA dc
pulsed (see 4.5.1)
VCE(SAT)1
0.15
V dc
Collector – emitter
saturated voltage
3071
IC = 500 mA dc; IB = 50 mA dc;
pulsed (see 4.5.1)
VCE(SAT)2
0.50
V dc
Collector – emitter
saturated voltage
3071
IC = 1.0 A dc; IB = 100 mA dc;
pulsed (see 4.5.1)
VCE(SAT)3
1.0
V dc
Base – emitter
Saturated voltage
3066
Test condition A; IC = 150 mA
dc; IB = 15 mA dc pulsed (see
4.5.1)
VBE(SAT)1
0.9
V dc
Base - emitter
Saturated voltage
3066
Test condition A; IC = 500 mA
dc; IB = 50 mA dc; pulsed (see
4.5.1)
VBE(SAT)2
1.2
V dc
Subgroup 3
High-temperature
operation:
TA = +150°C
Collector -base
cutoff current
3036
Bias condition D;
VCB = 60 V dc
ICBO3
25
A dc
Low-temperature
operation:
TA = -55°C
Forward-current
transfer ratio
3076
VCE = 5.0 V dc; IC = 500 mA dc
pulsed (see 4.5.1)
hFE5
30
See footnotes at end of table.
相關PDF資料
PDF描述
JANS2N5667S TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-39
JANSF2N7383 -200V 300kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-257AA package
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JANSF2N7390U -200V 300kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a 18-pin LCC package
JANSF2N7394 60V 300kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-254AA package
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