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參數(shù)資料
| 型號： | JANTXV2N918UB |
| 英文描述： | BJT |
| 中文描述： | 雙極型晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 19/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 137K |
| 代理商： | JANTXV2N918UB |
MIL-PRF-19500/368F
7
Dimensions
Symbol
Inches
Millimeters
Note
Min
Max
Min
Max
A
.061
.075
1.55
1.90
3
A1
.029
.041
0.74
1.04
B1
.022
.028
0.56
0.71
B2
.075 REF
1.91 REF
B3
.006
.022
0.15
0.56
5
D
.145
.155
3.68
3.93
D1
.045
.055
1.14
1.39
D2
.0375 BSC
.952 BSC
D3
.155
3.93
E
.215
.225
5.46
5.71
E3
.225
5.71
L1
.032
.048
0.81
1.22
L2
.072
.088
1.83
2.23
L3
.003
.007
0.08
0.18
5
NOTES:
1. Dimensions are in inches.
2. Metric equivalents are given for general information only.
3. Dimension "A" controls the overall package thickness. When a window lid is used, dimension "A" must
increase by a minimum of .010 inch (0.254 mm) and a maximum of .040 inch (1.020 mm).
4. The corner shape (square, notch, radius, etc.) may vary at the manufacturer's option, from that shown on the
drawing.
5. Dimensions "B3" minimum and "L3" minimum and the appropriately castellation length define an unobstructed
three-dimensional space traversing all of the ceramic layers in which a castellation was designed.
(Castellations are required on bottom two layers, optional on top ceramic layer.) Dimension "B3" maximum
and "L3" maximum define the maximum width and depth of the castellation at any point on its surface.
Measurement of these dimensions may be made prior to solder dipping.
* FIGURE 4. Physical dimensions, surface mount (2N3439UA, 2N3440UA) version.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JANTXV2N930 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-18 |
| JANTXV2N930UB | BJT |
| JANTXVH2N7261 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-205AF |
| JANTXVH2N7262 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-205AF |
| JANTXVH2N7268 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 34A I(D) | TO-254AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| JANTXV2N930 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 45V 0.03A 3-Pin TO-18 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR (NPN) - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
| JANTXV2N930UB | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR (NPN) - Waffle Pack |
| JANTXV4N22 | 功能描述:Optoisolator Transistor with Base Output 1000VDC 1 Channel TO-78-6 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 通道數(shù):1 電壓 - 隔離:1000VDC 電流傳輸比（最小值）:25% @ 10mA 電流傳輸比（最大值）:- 打開 / 關閉時間（典型值）:- 上升/下降時間（典型值）:20μs，20μs（最大） 輸入類型:DC 輸出類型:有基極的晶體管 電壓 - 輸出（最大值）:40V 電流 - 輸出/通道:50mA 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V（最大） 電流 - DC 正向（If）:40mA Vce 飽和值（最大值）:300mV 工作溫度:-55°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐 供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 |
| JANTXV4N22A | 功能描述:Optoisolator Transistor with Base Output 1000VDC 1 Channel TO-78-6 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 通道數(shù):1 電壓 - 隔離:1000VDC 電流傳輸比（最小值）:25% @ 10mA 電流傳輸比（最大值）:- 打開 / 關閉時間（典型值）:- 上升/下降時間（典型值）:20μs，20μs（最大） 輸入類型:DC 輸出類型:有基極的晶體管 電壓 - 輸出（最大值）:40V 電流 - 輸出/通道:50mA 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V（最大） 電流 - DC 正向（If）:40mA Vce 飽和值（最大值）:300mV 工作溫度:-55°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐 供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 |
| JANTXV4N23 | 功能描述:Optoisolator Transistor with Base Output 1000VDC 1 Channel TO-78-6 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 通道數(shù):1 電壓 - 隔離:1000VDC 電流傳輸比（最小值）:60% @ 10mA 電流傳輸比（最大值）:- 打開 / 關閉時間（典型值）:- 上升/下降時間（典型值）:20μs，20μs（最大） 輸入類型:DC 輸出類型:有基極的晶體管 電壓 - 輸出（最大值）:40V 電流 - 輸出/通道:50mA 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V（最大） 電流 - DC 正向（If）:40mA Vce 飽和值（最大值）:300mV 工作溫度:-55°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐 供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 |
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