參數(shù)資料
型號(hào)： JANTXV2N918UB
英文描述： BJT
中文描述： 雙極型晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/21頁(yè)
文件大?。?/td> 137K
代理商： JANTXV2N918UB
MIL-PRF-19500/368F
14
* TABLE I. Group A inspection - Continued.
Inspection 1/
MIL-STD-750
Symbol
Limit
Unit
Method
Conditions
Min
Max
Subgroup 2 - Continued
Collector to base cutoff
current
2N3439, 2N3439L, 2N3439UA
2N3440, 2N3440L, 2N3440UA
3036
Bias condition D
VCB = 450 V dc
VCB = 300 V dc
ICBO2
5
A dc
Base emitter voltage
(nonsaturated)
3066
Test condition A, pulsed (see 4.5.1),
IC = 50 mA dc, IB = 4 mA dc
VBE(sat)
1.3
V dc
Collector to emitter voltage
(saturated)
3071
Pulsed (see 4.5.1), IC = 50 mA dc,
IB = 4 mA dc
VCE(sat)
0.5
V dc
Forward-current transfer
ratio
3076
Pulsed (see 4.5.1), VCE = 10 V dc,
IC = 20 mA
hFE1
40
160
Forward-current transfer
ratio
3076
Pulsed (see 4.5.1), VCE = 10 V dc,
IC = 2 mA
hFE2
30
Forward-current transfer
ratio
3076
Pulsed (see 4.5.1), VCE = 10 V dc,
IC = 0.2 mA
hFE3
10
Subgroup 3
High temperature
operation:
TA = +150°C
Collector to emitter cutoff
current
2N3439, 2N3439L, 2N3439UA
2N3440, 2N3440L, 2N3440UA
3036
Bias condition D
VCB = 360 V dc
VCB = 250 V dc
ICB03
100
A dc
Low temperature operation:
TA = -55
°C
Forward-current transfer ratio
3076
VCE = 10 V dc, IC = 20 mA dc,
pulsed (see 4.5.1)
hFE4
15
Subgroup 4
Pulse response:
3251
Test condition A
Turn-on time
VCC = 200 V dc, IC = 20 mA dc,
IB1 = 2 mA dc, see figure 5
ton
1
s
Turn-off time
VCC = 200 V dc, IC = 20 mA dc,
IB1 = -IB2 = 2 mA dc, see figure 5
toff
10
s
See footnotes at end of table.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JANTXV2N930 TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-18
JANTXV2N930UB BJT
JANTXVH2N7261 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-205AF
JANTXVH2N7262 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-205AF
JANTXVH2N7268 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 34A I(D) | TO-254AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
JANTXV2N930 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 45V 0.03A 3-Pin TO-18 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR (NPN) - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N930UB 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR (NPN) - Waffle Pack
JANTXV4N22 功能描述:Optoisolator Transistor with Base Output 1000VDC 1 Channel TO-78-6 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 通道數(shù):1 電壓 - 隔離:1000VDC 電流傳輸比（最小值）:25% @ 10mA 電流傳輸比（最大值）:- 打開(kāi) / 關(guān)閉時(shí)間（典型值）:- 上升/下降時(shí)間（典型值）:20μs，20μs（最大） 輸入類型:DC 輸出類型:有基極的晶體管 電壓 - 輸出（最大值）:40V 電流 - 輸出/通道:50mA 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V（最大） 電流 - DC 正向（If）:40mA Vce 飽和值（最大值）:300mV 工作溫度:-55°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-78-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
JANTXV4N22A 功能描述:Optoisolator Transistor with Base Output 1000VDC 1 Channel TO-78-6 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 通道數(shù):1 電壓 - 隔離:1000VDC 電流傳輸比（最小值）:25% @ 10mA 電流傳輸比（最大值）:- 打開(kāi) / 關(guān)閉時(shí)間（典型值）:- 上升/下降時(shí)間（典型值）:20μs，20μs（最大） 輸入類型:DC 輸出類型:有基極的晶體管 電壓 - 輸出（最大值）:40V 電流 - 輸出/通道:50mA 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V（最大） 電流 - DC 正向（If）:40mA Vce 飽和值（最大值）:300mV 工作溫度:-55°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-78-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
JANTXV4N23 功能描述:Optoisolator Transistor with Base Output 1000VDC 1 Channel TO-78-6 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 通道數(shù):1 電壓 - 隔離:1000VDC 電流傳輸比（最小值）:60% @ 10mA 電流傳輸比（最大值）:- 打開(kāi) / 關(guān)閉時(shí)間（典型值）:- 上升/下降時(shí)間（典型值）:20μs，20μs（最大） 輸入類型:DC 輸出類型:有基極的晶體管 電壓 - 輸出（最大值）:40V 電流 - 輸出/通道:50mA 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V（最大） 電流 - DC 正向（If）:40mA Vce 飽和值（最大值）:300mV 工作溫度:-55°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-78-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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