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參數(shù)資料
| 型號： | K4C89083AF-GIFB |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| 中文描述： | 288Mb x18網(wǎng)絡DRAM2規(guī)范 |
| 文件頁數(shù)： | 14/55頁 |
| 文件大小： | 1470K |
| 代理商： | K4C89083AF-GIFB |
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K4C89183AF
- 14 -
REV. 0.7 Jan. 2005
Power Up Sequence
1. As for PD, being maintained by the low state (<0.2V) is desirable before a power-supply injection.
2. Apply V
DD
before or at the same time as V
DDQ
.
3. Apply V
DDQ
before or at the same time as V
REF
.
4. Start clock (CLK, CLK) and maintain stable condition for 200us (min.).
5. After stable power and clock, apply DESL and take PD = H.
6. Issue EMRS to enable DLL and to define driver strength and data strobe type. (Note : 1)
7. Issue MRS for set CAS Latency (CL), Burst Type (BT), and Burst Length (BL). (Note : 1)
8. Issue two or more Auto-Refresh commands. (Note:1)
9. Ready for normal operation after 200 clocks from Extended Mode Register programming.
Note :
1. Sequence 6, 7 and 8 can be issued in random order.
2. L=Logic Low, H = Logic High
DESL
RDA MRS
DESL
RDA MRS
～
～
～
～
DESL
～
～
～
～
WRA REF
WRA REF
DESL
DESL
EMRS
MRS
op-code
op-code
V
DD
V
DDQ
V
REF
CLK
CLK
PD
Command
Address
DQ
DS
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
200
μ
s(min)
I
PDA
l
RSC
l
RSC
l
REFC
2.5V(TYP)
1.8V(TYP)
0.9V(TYP)
l
REFC
t
PDEX
200 clock cycle(min)
QS
EMRS
Hi-Z
(Free RuQS
(Uni-QS mode)
MRS
Auto Refresh cycle
Normal Operation
～
～
～
～
～
～
～
～
Low
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| K4C89163AF-GCF5 | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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