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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4C89163AF-GCF5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| 中文描述： | 288Mb x18網(wǎng)絡(luò)DRAM2規(guī)范 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 47/55頁(yè) |
| 文件大小： | 1470K |
| 代理商： | K4C89163AF-GCF5 |
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K4C89183AF
- 47 -
REV. 0.7 Jan. 2005
0
2
3
4
5
6
7
n-1
n
n+1
n+2
1
Auto-Refresh Timing (CL=4, BL=4)
RDA
LAL
DESL
WRA
REF
DESL
or
WRA
Bank,
UA
LA
Command
Bank, Address
REF
Q0
Q1
Q2
Q3
QS
(output)
DQ
(output)
Unidirectional DS/Free Running QS mode
CLK
CL=4
l
RC
=5cycles
l
REFC
=19cycles
～
～
～
l
RCD
=1cycle
l
RAS
=4cycles
l
RCD
=1cycle
Low
Hi-Z
Low
Hi-Z
～
～
RDA
LAL
DESL
WRA
REF
DESL
or
WRA
Bank,
UA
LA
Command
Bank, Address
REF
Q0
Q1
Q2
Q3
QS
(output)
DQ
(output)
CL=4
l
RC
=5cycles
l
REFC
=19cycles
～
～
～
～
l
RCD
=1cycles
l
RAS
=4cycles
l
RCD
=1cycles
Hi-Z
Hi-Z
～
In case of CL=4, I
REFC
must be meet 19 clock cycles.
When the Auto-Refresh operation is perfomed, the synthetic average interval of Auto-Refresh command
specified by t
REFI
must be satisfied.
t
REFI
is average interval time in 8 Refresh cycles that is sampled randomly.
Note :
Unidirectional DS/QS mode
WRA REF
～
～
WRA REF
～
～
～
WRA REF
t
1
t
2
t
3
t
7
t
8
8 Refresh cycle
Total time of 8 Refresh cycle
8
t
1
+t
2
+t
3
+t
4
+t
5
+t
6
+t
7
+t
8
8
=
t
REFI
=
t
is specified to avoid partly concentrated current of Refresh operation that is acivated
larger are than Read/Write operation.
CLK
CLK
CLK
CLK
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PDF描述 |
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