參數(shù)資料
型號(hào)： K4H560838D-TCA0
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 128Mb DDR SDRAM
中文描述： 128MB DDR SDRAM的
文件頁(yè)數(shù)： 14/19頁(yè)
文件大?。?/td> 171K
代理商： K4H560838D-TCA0
DDR SDRAM
DDR SDRAM 256Mb F-die (x8, x16)
Rev. 1.1 August. 2003
Overshoot/Undershoot specification for Data, Strobe, and Mask Pins
Parameter
Specification
DDR400
1.2V
1.2V
2.5V-ns
2.5V-ns
Maximum peak amplitude allowed for overshoot
Maximum peak amplitude allowed for undershoot
The area between the overshoot signal and VDD must be less than or equal to
The area between the undershoot signal and GND must be less than or equal to
5
4
3
2
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
0
0.5 1.0 1.42 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 5.68 6.0 6.5 7.0
VDDQ
Overshoot
Maximum Amplitude = 1.2V
Area = 2.5V-ns
Maximum Amplitude = 1.2V
undershoot
GND
V
Tims(ns)
DQ/DM/DQS AC overshoot/Undershoot Definition
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4H560838D-TCA2 128Mb DDR SDRAM
K4H560838D-TCB0 10-Bit, 32 kSPS ADC Serial Out, uProcessor Periph./Standalone, 11 Ch. 20-SOIC
K4H560838D-TCC4 256Mb D-die DDR400 SDRAM Specification
K4H560838D-TCCC 256Mb D-die DDR400 SDRAM Specification
K4H560838D-TLA0 128Mb DDR SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4H560838D-TCA2 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM
K4H560838D-TCA2000 制造商:Samsung SDI 功能描述:256MB D-die DDR SDRAM
K4H560838D-TCB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM
K4H560838D-TCC4 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb D-die DDR400 SDRAM Specification
K4H560838D-TCCC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb D-die DDR400 SDRAM Specification
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