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參數(shù)資料
| 型號： | K4H560838D-TCCC |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Mb D-die DDR400 SDRAM Specification |
| 中文描述： | 256Mb的?芯片支持DDR400內(nèi)存規(guī)格 |
| 文件頁數(shù)： | 4/19頁 |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | K4H560838D-TCCC |
DDR SDRAM
DDR SDRAM 256Mb F-die (x8, x16)
Rev. 1.1 August. 2003
Pin Description
DM is internally loaded to match DQ and DQS identically.
256Mb Package Pinout
Row & Column address configuration
V
DD
1
66Pin TSOP
II
(400mil x 875mil)
(0.65mm Pin Pitch)
DQ
0
2
V
DDQ
3
NC
4
DQ
1
5
V
SSQ
6
NC
7
DQ
2
8
V
DDQ
9
NC
10
DQ
3
11
V
SSQ
12
BA
0
20
CS
19
RAS
18
CAS
17
WE
16
NC
15
V
DDQ
14
NC
13
V
DD
27
A
3
26
A
2
25
A
1
24
A
0
23
AP/A
10
22
BA
1
21
V
SS
54
DQ
7
53
V
SSQ
52
NC
51
DQ
6
50
V
DDQ
49
NC
48
DQ
5
47
V
SSQ
46
NC
45
DQ
4
44
V
DDQ
43
A
11
35
36
CKE
37
CK
38
DM
39
V
REF
40
V
SSQ
41
NC
42
V
SS
55
A
4
56
A
5
57
A
6
58
A
7
59
A
8
60
A
9
34
33
32
31
30
29
28
61
62
63
64
65
66
NC
NC
NC
NC
NC
V
DD
NC
DQS
NC
V
SS
CK
NC
A
12
16Mb x 16
32Mb x 8
V
SS
DQ
15
V
SSQ
DQ
14
DQ
13
V
DDQ
DQ
12
DQ
11
V
SSQ
DQ
10
DQ
9
V
DDQ
A
11
CKE
CK
UDM
V
REF
V
SSQ
DQ
8
V
SS
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
UDQS
NC
V
SS
CK
NC
A
12
V
DD
DQ
0
V
DDQ
DQ
1
DQ
2
V
SSQ
DQ
3
DQ
4
V
DDQ
DQ
5
DQ
6
V
SSQ
BA
0
CS
RAS
CAS
WE
LDM
V
DDQ
DQ
7
V
DD
A
3
A
2
A
1
A
0
AP/A
10
BA
1
NC
LDQS
NC
NC
NC
V
DD
Bank Address
BA0~BA1
Auto Precharge
A10
Organization
32Mx8
16Mx16
Row Address
A0~A12
A0~A12
Column Address
A0-A9
A0-A8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4H560838D-TLA0 | 128Mb DDR SDRAM |
| K4H560838D-TLA2 | 10-Bit, 32 kSPS ADC Serial Out, uProcessor Periph./Standalone, 11 Ch. 20-PLCC |
| K4H560838D-TLB0 | 128Mb DDR SDRAM |
| K4H560838E-NLA2 | 256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II) |
| K4H560838E-NLB0 | 10-Bit, 32 kSPS ADC Serial Out, uProcessor Periph./Standalone, 11 Ch. 20-SOIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4H560838D-TLA0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H560838D-TLA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H560838D-TLB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H560838E | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM 256Mb E-die (x4, x8) |
| K4H560838E-GC/LA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) |
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