參數(shù)資料
型號(hào)： K4H560838E-GLB0
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： DIODE ZENER TRIPLE ISOLATED 200mW 36.28Vz 5mA-Izt 0.02522 0.05uA-Ir 30 SOT-363 3K/REEL
中文描述： 256Mb的電子芯片DDR SDRAM內(nèi)存規(guī)格60Ball FBGA封裝（x4/x8）
文件頁(yè)數(shù)： 1/19頁(yè)
文件大?。?/td> 171K
代理商： K4H560838E-GLB0
DDR SDRAM
DDR SDRAM 256Mb F-die (x8, x16)
Rev. 1.1 August. 2003
256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification
Revision 1.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4H560838E-GLB3 DIODE ZENER TRIPLE ISOLATED 200mW 39.13Vz 5mA-Izt 0.02518 0.05uA-Ir 30 SOT-363 3K/REEL
K4H560838M-TCA0 128Mb DDR SDRAM
K4H560838E-ULA2 256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560838E-ULAA 256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560838E-VLB0 256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4H560838E-GLB3 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8)
K4H560838E-NC/LA2 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II)
K4H560838E-NC/LB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II)
K4H560838E-NC/LB3 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II)
K4H560838E-NCA2 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II)
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