- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373062 > K4H560838E-GLB3 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) DIODE ZENER TRIPLE ISOLATED 200mW 39.13Vz 5mA-Izt 0.02518 0.05uA-Ir 30 SOT-363 3K/REEL PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | K4H560838E-GLB3 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DIODE ZENER TRIPLE ISOLATED 200mW 39.13Vz 5mA-Izt 0.02518 0.05uA-Ir 30 SOT-363 3K/REEL |
| 中文描述： | 256Mb的電子芯片DDR SDRAM內(nèi)存規(guī)格60Ball FBGA封裝（x4/x8） |
| 文件頁數(shù)： | 2/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 171K |
| 代理商： | K4H560838E-GLB3 |
DDR SDRAM
DDR SDRAM 256Mb F-die (x8, x16)
256Mb F-die Revision History
Rev. 1.1 August. 2003
Revison 1.0 (June. 2003)
1. First release
Revison 1.1 (August. 2003)
1. Added x8 org (K4H560838F)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4H560838M-TCA0 | 128Mb DDR SDRAM |
| K4H560838E-ULA2 | 256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4H560838E-ULAA | 256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4H560838E-VLB0 | 256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4H560838E-VLB3 | 256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4H560838E-NC/LA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II) |
| K4H560838E-NC/LB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II) |
| K4H560838E-NC/LB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II) |
| K4H560838E-NCA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II) |
| K4H560838E-NCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II) |
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