參數(shù)資料
型號： K4H560838F-UC
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification
中文描述： 256Mb的的F -模具支持DDR400內(nèi)存規(guī)格
文件頁數(shù)： 14/19頁
文件大?。?/td> 171K
代理商： K4H560838F-UC
DDR SDRAM
DDR SDRAM 256Mb F-die (x8, x16)
Rev. 1.1 August. 2003
Overshoot/Undershoot specification for Data, Strobe, and Mask Pins
Parameter
Specification
DDR400
1.2V
1.2V
2.5V-ns
2.5V-ns
Maximum peak amplitude allowed for overshoot
Maximum peak amplitude allowed for undershoot
The area between the overshoot signal and VDD must be less than or equal to
The area between the undershoot signal and GND must be less than or equal to
5
4
3
2
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
0
0.5 1.0 1.42 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 5.68 6.0 6.5 7.0
VDDQ
Overshoot
Maximum Amplitude = 1.2V
Area = 2.5V-ns
Maximum Amplitude = 1.2V
undershoot
GND
V
Tims(ns)
DQ/DM/DQS AC overshoot/Undershoot Definition
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4H560838A-TCA2 Quad Micropower Precision Low-Voltage Operational Amplifier 14-SOIC
K4H560838A-TCB0 128Mb DDR SDRAM
K4H560838A-TLA0 128Mb DDR SDRAM
K4H560838A-TLA2 128Mb DDR SDRAM
K4H560838A-TLB0 Quad Micropower Precision Low-Voltage Operational Amplifier 14-PDIP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4H560838F-UC/LA2 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb F-die DDR SDRAM Specification
K4H560838F-UC/LAA 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb F-die DDR SDRAM Specification
K4H560838F-UC/LB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb F-die DDR SDRAM Specification
K4H560838F-UC/LB3 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb F-die DDR SDRAM Specification
K4H560838F-UCB3 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 8, 66 Pin, Plastic, TSSOP 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 8, 66 Pin, Plastic, TSSOP
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*