- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373065 > K4S161622E-TC60 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 1M x 16 SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4S161622E-TC60 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/42頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 675K |
| 代理商： | K4S161622E-TC60 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)當(dāng)前第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)
K4S161622E
CMOS SDRAM
Rev 1.1 Jan '03
*Note :
2. To inhibit invalid write, DQM should be issued.
3. This precharge command and burst write command should be of the same bank, otherwise it is not precharge
interrupt but only the other bank precharge of dual banks operation.
5. Write Interrupted by Precharge & DQM
D
0
D
1
D
2
CLK
CMD
DQM
DQ
Masked by DQM
WR
PRE
D
3
Note 3
Note 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S161622E-TC70 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC80 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622H | 16Mb H-die SDRAM Specification |
| K4S161622H-TC55 | 16Mb H-die SDRAM Specification |
| K4S161622H-TC60 | 16Mb H-die SDRAM Specification |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S161622E-TC70 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC70000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4S161622E-TC80 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM |
| K4S161622H | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16Mb H-die SDRAM Specification |
| K4S161622H-TC55 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16Mb H-die SDRAM Specification |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。