參數(shù)資料
型號(hào)： K4S161622E-TC80
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1M x 16 SDRAM
中文描述： 100萬(wàn)× 16內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 18/42頁(yè)
文件大小： 675K
代理商： K4S161622E-TC80
K4S161622E
CMOS SDRAM
Rev 1.1 Jan '03
*Note :
1. t
RDL
: Last data in to row precharge delay
2. Number of valid output data after row precharge : 0, 1, 2 for CAS Latency =1, 2, 3 respectively.
3. The row active command of the precharge bank can be issued after t
RP
from this point.
The new read/write command of the other activated bank can be issued from this point.
At burst read/write with auto precharge, CAS interrupt of the same/other bank is illegal.
6. Precharge
D
0
D
1
D
2
CLK
CMD
DQ
WR
PRE
D
3
1) Normal Write (BL=4)
tRDL
Note 2
2) Normal Read (BL=4)
CLK
CMD
DQ(CL2)
DQ(CL3)
RD
PRE
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
1
2
Note 2
7. Auto Precharge
D
0
D
1
D
2
CLK
CMD
DQ
WR
D
3
1) Normal Write (BL=4)
Note 3
Auto Precharge Starts
2) Normal Read (BL=4)
CLK
CMD
DQ(CL2)
DQ(CL3)
RD
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Note 3
Auto Precharge Starts
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4S161622H 16Mb H-die SDRAM Specification
K4S161622H-TC55 16Mb H-die SDRAM Specification
K4S161622H-TC60 16Mb H-die SDRAM Specification
K4S161622H-TC70 16Mb H-die SDRAM Specification
K4S161622H-TC80 16Mb H-die SDRAM Specification
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4S161622H 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16Mb H-die SDRAM Specification
K4S161622H-TC55 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16Mb H-die SDRAM Specification
K4S161622HTC60 制造商:SAMSUNG 功能描述:New
K4S161622H-TC60 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16Mb H-die SDRAM Specification
K4S161622H-TC70 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16Mb H-die SDRAM Specification
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*