參數(shù)資料
型號(hào)： K6X1008T2D-TF70
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
中文描述： 128Kx8位低功耗CMOS靜態(tài)RAM
文件頁(yè)數(shù)： 9/9頁(yè)
文件大?。?/td> 153K
代理商： K6X1008T2D-TF70
CMOS SRAM
K6X1008T2D Family
Revision 1.0
September 2003
9
32 PLASTIC SMALL OUTLINE PACKAGE (525mil)
0~8
°
#32
20.47
±
0.20
0.806
±
0.008
MAX
20.87
0.822
MAX
2.74
±
0.20
0.108
±
0.008
3.00
0.118
MIN
0.002
0.05
0.004 MAX
0.10 MAX
#1
( 0.028
1
0
11.43
±
0.20
0.450
±
0.008
0.80
±
0.20
0.031
±
0.008
0.20
+0.10
0.008
+0.004
14.12
±
0.30
0.556
±
0.012
#17
#16
1.27
0.050
0.41
+0.100
0.016
-0.002
32 PIN THIN SMALL OUTLINE PACKAGE TYPE I (0820F)
#32
1.00
±
0.10
0.039
±
0.004
1.20
0.047
MAX
8.40
0.331
0
0
#1
(0.020
18.40
±
0.10
0.724
±
0.004
0.45 ~0.75
0.018 ~0.030
20.00
±
0.20
0.787
±
0.008
#17
0.15
+0.10
0.006
-0.002
+0.004
0~8
°
+0.10
0.20
-0.05
0.008
-0.002
0.50
0.0197
(0.010
MIN
0.05
0.002
MAX
8
0
TYP
0.25
0.010
#16
PACKAGE DIMENSIONS
Units: millimeters(inches)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K6X1008T2D-TF85 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
K6X1008T2D-TQ85 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
K6X1008T2D-TB70 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
K6X1008T2D-TQ70 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
K6X4008C1F-DF70 Circular Connector; Body Material:Composite; Series:RADSOK; No. of Contacts:5; Connecting Termination:Wire; Circular Shell Style:Cable Receptacle; Gender:Receptacle; Wire Size (AWG):10-8 RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K6X1008T2D-TF70T00 制造商:Samsung SDI 功能描述:SRAM Chip Async Single 3V/3.3V 1M-Bit 128K x 8 70ns 32-Pin TSOP-I T/R
K6X1008T2D-TF85 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
K6X1008T2D-TQ70 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
K6X1008T2D-TQ85 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
K6X4008C1F 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx8 bit Low Power full CMOS Static RAM
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