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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K7N163601 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
| 中文描述： | 512Kx36 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/24頁(yè) |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | K7N163601 |
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512Kx36 & 1Mx18 Pipelined N
t
RAM
TM
- 6 -
Rev 3.0
Nov. 2003
K7N161801A
K7N163601A
165-PIN FBGA PACKAGE CONFIGURATIONS
(TOP VIEW)
PIN NAME
SYMBOL
PIN NAME
SYMBOL
PIN NAME
A
A
0
,A
1
ADV
WE
CLK
CKE
CS
1
CS
2
CS
2
BWx
(x=a,b,c,d)
OE
ZZ
LBO
TCK
TMS
TDI
TDO
Address Inputs
Burst Address Inputs
Address Advance/Load
Read/Write Control Input
Clock
Clock Enable
Chip Select
Chip Select
Chip Select
Byte Write Inputs
Output Enable
Power Sleep Mode
Burst Mode Control
JTAG Test Clock
JTAG Test Mode Select
JTAG Test Data Input
JTAG Test Data Output
V
DD
V
SS
N.C.
DQa
DQb
DQc
DQd
DQPa~Pd
V
DDQ
Power Supply
Ground
No Connect
Data Inputs/Outputs
Data Inputs/Outputs
Data Inputs/Outputs
Data Inputs/Outputs
Data Inputs/Outputs
Output Power Supply
K7N163601A(512Kx36)
Note :
* A
0
and A
1
are the two least significant bits(LSB) of the address field and set the internal burst counter if burst is desired.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
NC
A
CS1
BWc
BWb
CS2
CKE
ADV
A
A
NC
B
NC
A
CS2
BWd
BWa
CLK
WE
OE
A
A
NC
C
DQPc
NC
V
DDQ
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DDQ
NC
DQPb
D
DQc
DQc
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
DQb
DQb
E
DQc
DQc
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
DQb
DQb
F
DQc
DQc
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
DQb
DQb
G
DQc
DQc
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
DQb
DQb
H
NC
V
DD
NC
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
NC
NC
ZZ
J
DQd
DQd
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
DQa
DQa
K
DQd
DQd
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
DQa
DQa
L
DQd
DQd
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
DQa
DQa
M
DQd
DQd
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
DQa
DQa
N
DQPd
NC
V
DDQ
V
SS
NC
NC
NC
V
SS
V
DDQ
NC
DQPa
P
NC
NC
A
A
TDI
A
1
*
TDO
A
A
A
NC
R
LBO
NC
A
A
TMS
A
0
*
TCK
A
A
A
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7N161845A | 512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
| K7N163645A | 512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
| K7M321825M-QC75 | 1Mx36 & 2Mx18 Flow-Through NtRAM |
| K7M323625M | 1Mx36 & 2Mx18 Flow-Through NtRAM |
| K7M323625M-QC75 | 1Mx36 & 2Mx18 Flow-Through NtRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K7N163601A-Q(F)C(I)13 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
| K7N163601A-Q(F)C(I)16 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
| K7N163601A-Q(F)C(I)20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
| K7N163601A-Q(F)C(I)25 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
| K7N163601A-QC16000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Quad 3.3V 18M-Bit 512K x 36 3.5ns 100-Pin TQFP |
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