參數(shù)資料
型號(hào)： K7N803609B-QC25
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAM
中文描述： 256Kx36
文件頁(yè)數(shù)： 7/18頁(yè)
文件大小： 378K
代理商： K7N803609B-QC25
256Kx36 & 512Kx18 Pipelined N
t
RAM
TM
- 7 -
Rev 3.0
Nov. 2003
K7N803601B
K7N801801B
STATE DIAGRAM FOR N
t
RAM
TM
BEGIN
WRITE
BURST
WRITE
BEGIN
READ
WRITE
DS
READ
DS
BURST
READ
WRITE
DS
READ
DS
READ
D
WRTE
B
DESELECT
B
R
B
W
READ
WRITE
BURST
BURST
Notes :
1. An IGNORE CLOCK EDGE cycle is not shown is the above diagram. This is because CKE HIGH only blocks the clock(CLK) input and does
not change the state of the device.
2. States change on the rising edge of the clock(CLK)
COMMAND
ACTION
DS
DESELECT
READ
BEGIN READ
WRITE
BEGIN WRITE
BURST
BEGIN READ
BEGIN WRITE
CONTINUE DESELECT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K7N801845B-QC16 256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAM
K7N803645B-QC16 256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAM
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K7P161866A-HC25 512Kx36 AND 1Mx18 Synchronous Pipelined SRAM
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參數(shù)描述
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