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參數(shù)資料
| 型號： | K8D1716UTC-DC07 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| 中文描述： | 1,600位（200萬x8/1M x16）的雙銀行NOR閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 3/41頁 |
| 文件大?。?/td> | 684K |
| 代理商： | K8D1716UTC-DC07 |
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FLASH MEMORY
K8D1716UTC / K8D1716UBC
Revision 1.0
December 2004
3
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
Vcc
Vss
CE
OE
WE
BYTE
RESET
RY/BY
WP/ACC
A0~A19
DQ15/A-1
DQ0~DQ14
I/O
Interface
&
Bank
Control
X
Dec
Y Dec
Latch &
Control
Latch &
Control
Dec
X
Y Dec
Erase
Control
Program
Control
High
Voltage
Gen.
Bank2
Cell Array
Bank1
Address
Bank2
Address
Bank1 Data-In/Out
Bank2 Data-In/Out
Bank1
Cell Array
A3
A7
A9
A13
A4
A17
RESET
RY/BY
A8
A12
A2
A6
A18
N.C
A10
A14
DQ15/
A-1
A5
N.C
A19
A11
A0
DQ0
DQ2
DQ5
DQ7
A16
CE
DQ8
DQ10
DQ12
DQ14
BYTE
DQ9
DQ11
V
CC
DQ13
V
SS
DQ1
DQ3
DQ4
DQ6
V
SS
2
3
4
5
6
C
D
E
F
G
H
WE
WP/
ACC
A1
A15
OE
48 Ball FBGA TOP VIEW (BALL DOWN)
1
A
B
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K8D1716UTC-DC08 | 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-DC09 | 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-DI07 | 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-DI08 | 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-DI09 | 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K8D1716UTC-DC08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
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| K8D1716UTC-DI07 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-DI08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-DI09 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
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