參數(shù)資料
型號(hào)： K8D1716UTC-DC07
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory
中文描述： 1,600位（200萬(wàn)x8/1M x16）的雙銀行NOR閃存
文件頁(yè)數(shù)： 30/41頁(yè)
文件大?。?/td> 684K
代理商： K8D1716UTC-DC07
FLASH MEMORY
K8D1716UTC / K8D1716UBC
Revision 1.0
December 2004
30
Hardware Reset/Read Operations
SWITCHING WAVEFORMS
Parameter
Symbol
-7
-8
-9
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Read Cycle Time
t
RC
70
-
80
-
90
-
ns
Address Access Time
t
AA
-
70
-
80
-
90
ns
Chip Enable Access Time
t
CE
-
70
-
80
-
90
ns
Output Hold Time from Address, CE or OE
t
OH
0
-
0
-
0
-
ns
RESET Pulse Width
t
RP
500
-
500
-
500
-
ns
RESET High Time Before Read
t
RH
50
-
50
-
50
-
ns
RESET
Address
CE
Outputs
High-Z
t
RC
Address Stable
t
AA
t
CE
t
OH
t
RH
t
RH
t
RP
Output Valid
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K8D1716UTC-DC08 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory
K8D1716UTC-DC09 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory
K8D1716UTC-DI07 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory
K8D1716UTC-DI08 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory
K8D1716UTC-DI09 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K8D1716UTC-DC08 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory
K8D1716UTC-DC09 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory
K8D1716UTC-DI07 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory
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