- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373086 > K8D1716UTC-FC07 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | K8D1716UTC-FC07 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| 中文描述： | 1,600位（200萬x8/1M x16）的雙銀行NOR閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 39/41頁 |
| 文件大?。?/td> | 684K |
| 代理商： | K8D1716UTC-FC07 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁當(dāng)前第39頁第40頁第41頁
FLASH MEMORY
K8D1716UTC / K8D1716UBC
Revision 1.0
December 2004
39
Block Group Protect & Unprotect Operations
SWITCHING WAVEFORMS
CE
Temporary Block Group Unprotect
Program or Erase Command Sequence
RESET
WE
t
RSP
RY/BY
t
VID
V
ID
V
ss
,V
IL
,
or V
IH
V
ss
,V
IL
,
or V
IH
t
RRB
t
VID
BGA,A6
A1,A0
RESET
CE
WE
DATA
OE
V
ss
,V
IL
,
or V
IH
60H
60H
40H
Status*
Block Group Protect / Unprotect
Verify
1
μ
s
Block Group Protect:150
μ
s
Block Group UnProtect:15ms
Notes :
Block Group Protect (A6=
V
IL
, A1=
V
IH
, A0=
V
IL
) , Status=01H
Block Group Unprotect (A6=
V
IH
, A1=
V
IH
,
A0=
V
IL
) , Status=00H
BGA = Block Group Address (A12 ~ A19)
RY/BY
V
ID
Valid
Valid
Valid
t
BUSY
t
RB
V
ss
,V
IL
,
or V
IH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K8D1716UTC-FC08 | 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-FC09 | 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-FI07 | 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-FI08 | 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-FI09 | 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K8D1716UTC-FC08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-FC09 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-FI07 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-FI08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-FI09 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。