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參數(shù)資料
| 型號： | K8D1716UTC-PI08 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| 中文描述： | 1,600位（200萬x8/1M x16）的雙銀行NOR閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 37/41頁 |
| 文件大?。?/td> | 684K |
| 代理商： | K8D1716UTC-PI08 |
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FLASH MEMORY
K8D1716UTC / K8D1716UBC
Revision 1.0
December 2004
37
Toggle Bit During Internal Routine Operation
SWITCHING WAVEFORMS
t
DH
CE
Address*
OE
DQ6/DQ2
WE
RY/BY
Data In
t
AHT
t
AHT
t
ASO
t
AS
t
CEPH
t
OEH2
t
OEPH
Status
Data
t
OE
Status
Data
Status
Data
Array Data Out
Note :
Address for the write operation must include a bank address (A19) where the data is written.
DQ
6
WE
DQ
2
Enter
Embedded
Erasing
Erase
Suspend
Enter Erase
Suspend Program
Erase
Suspend
Program
Erase
Resume
Erase
Erase Suspend
Read
Erase
Erase
Complete
Erase Suspend
Read
Note :
DQ2 is read from the erase-suspended block.
Toggle
DQ
2
and DQ
6
with OE or CE
Parameter
Symbol
-7
-8
-9
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Output Enable Access Time
t
OE
-
25
-
25
-
35
ns
OE Hold Time
t
OEH2
10
-
10
-
10
-
ns
Address Hold Time
t
AHT
0
-
0
-
0
-
ns
Address Setup
t
ASO
55
-
55
-
55
-
ns
Address Setup Time
t
AS
0
-
0
-
0
-
ns
Data Hold Time
t
DH
0
-
0
-
0
-
ns
CE High during toggle bit polling
t
CEPH
20
-
20
-
20
-
ns
OE High during toggle bit polling
t
OEPH
20
-
20
-
20
-
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K8D1716UTC-PI09 | 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-TC07 | 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-TC08 | 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-DC07 | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-YC07 | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K8D1716UTC-PI09 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-TC07 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-TC08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-TC09 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-TI07 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
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