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參數(shù)資料
| 型號： | K8D6316UTM-FI09 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| 中文描述： | 6400位（800萬x8/4M x16）的雙銀行NOR閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 1/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 767K |
| 代理商： | K8D6316UTM-FI09 |
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NOR FLASH MEMORY
K8D6x16UTM / K8D6x16UBM
Revision 1.6
September, 2006
1
Document Title
64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory
Revision History
Revision No.
0.0
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
Remark
Preliminary
Final
History
Initial Draft
Final Specification
Revised
- Release the stand-by current from typ. 5uA(max. 18uA) to typ.
10uA(max. 30uA).
Not support 48TSOP1 Package
Not support 16M/16M BANK partition
Support 48TSOP1 Package
Support 48TSOP1 Lead Free Package
Support 48FBGA Leaded/Lead Free Package
"Asynchronous mode may not support read following four sequential
invalid read condition within 200ns." is added
Draft Date
January 10, 2002
May 22, 2002
June 18, 2003
November 18, 2003
July 22, 2004
September 16, 2004
March 16, 2005
September 08, 2006
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9E2G08U0M | 256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9E2G08U0M-V | 256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9E2G08U0M-Y | 256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9E2G08U0M-F | 256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9E2G08U0M-P | 256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K8D6316UTM-LC07 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-LC08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-LC09 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-LI07 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-LI08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
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