參數(shù)資料
型號(hào)： K8D6316UTM-FI09
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
元件分類： DRAM
英文描述： 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory
中文描述： 6400位（800萬x8/4M x16）的雙銀行NOR閃存
文件頁數(shù)： 45/48頁
文件大?。?/td> 767K
代理商： K8D6316UTM-FI09
NOR FLASH MEMORY
K8D6x16UTM / K8D6x16UBM
Revision 1.6
September, 2006
45
Block Group Protect & Unprotect Operations
SWITCHING WAVEFORMS
CE
Temporary Block Group Unprotect
Program or Erase Command Sequence
RESET
WE
t
RSP
RY/BY
t
VID
V
ID
V
ss
,V
IL
,
or V
IH
V
ss
,V
IL
,
or V
IH
t
RRB
t
VID
BGA,A6
A1,A0
RESET
CE
WE
DATA
OE
V
ss
,V
IL
,
or V
IH
60H
60H
40H
Status*
Block Group Protect / Unprotect
Verify
1
μ
s
Block Group Protect:150
μ
s
Block Group UnProtect:15ms
Notes :
Block Group Protect (A6=
V
IL
, A1=
V
IH
, A0=
V
IL
) , Status=01H
Block Group Unprotect (A6=
V
IH
, A1=
V
IH
,
A0=
V
IL
) , Status=00H
BGA = Block Group Address (A12 ~ A21)
RY/BY
V
ID
Valid
Valid
Valid
t
BUSY
t
RB
V
ss
,V
IL
,
or V
IH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K9E2G08U0M 256M x 8 Bits NAND Flash Memory
K9E2G08U0M-V 256M x 8 Bits NAND Flash Memory
K9E2G08U0M-Y 256M x 8 Bits NAND Flash Memory
K9E2G08U0M-F 256M x 8 Bits NAND Flash Memory
K9E2G08U0M-P 256M x 8 Bits NAND Flash Memory
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參數(shù)描述
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