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參數(shù)資料
| 型號： | K9E2G08U0M-Y |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 256M x 8位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 24/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 888K |
| 代理商： | K9E2G08U0M-Y |
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FLASH MEMORY
24
K9E2G08U0M
Preliminary
Multi-Plane Block Erase Operation
into Plane 0~3 or Plane 4~7
Erase Setup Command
Erase Confirm Command
Read Multi-Plane
Status Command
Max. 4 times repeatable
60h
A
9
~ A
27
I/O
0
~
7
R/B
Address
60h
A
9
~ A
27
60h
A
9
~ A
27
60h
A
9
~ A
27
D0h
71h
t
BERS
* For Multi-Plane Erase operation, Block address to be erased should be repeated before "D0H" command.
Ex.) Four-Plane Block Erase Operation
CE
CLE
R/B
I/O
X
WE
ALE
RE
60h
A
17
~ A
24
A
9
~ A
16
DOh
71h
I/O 0
Busy
t
WB
t
BERS
Page(Row)
Address
t
WC
A
25
~ A
27
I/O
0
=1 Error in Erase
I/O
0
=0 Successful Erase
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9E2G08U0M-F | 256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9E2G08U0M-P | 256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9F1208D0A | 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208D0A-P | TV 128C 128#22D PIN RECP |
| K9F1208D0A-Y | TV 128C 128#22D PIN RECP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F1208B0B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| K9F1208B0C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9F1208B0C-P | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| K9F1208D0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208D0A-P | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
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