參數(shù)資料
型號(hào)： K9F1208D0B
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
元件分類： 圓形連接器
英文描述： Circular Connector; MIL SPEC:MIL-DTL-38999 Series III; Body Material:Metal; Series:TV07; No. of Contacts:128; Connector Shell Size:25; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Jam Nut Receptacle; Body Style:Straight
中文描述： 6400 × 8位NAND閃存
文件頁(yè)數(shù)： 14/45頁(yè)
文件大?。?/td> 767K
代理商： K9F1208D0B
FLASH MEMORY
14
K9F1208U0B
K9F1208D0B
Advance
AC TIMING CHARACTERISTICS FOR COMMAND / ADDRESS / DATA INPUT
NOTE
: 1. If tCS is set less than 10ns, tWP must be minimum 35ns, otherwise, tWP may be minimum 25ns.
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
CLE setup Time
t
CLS
0
0
0
-
-
-
ns
CLE Hold Time
t
CLH
10
10
10
-
-
-
ns
CE setup Time
t
CS
0
0
0
-
-
-
ns
CE Hold Time
t
CH
10
10
10
-
-
-
ns
WE Pulse Width
t
WP
25
25
(1)
25
(1)
-
-
-
ns
ALE setup Time
t
ALS
0
0
0
-
-
-
ns
ALE Hold Time
t
ALH
10
10
10
-
-
-
ns
Data setup Time
t
DS
20
20
20
-
-
-
ns
Data Hold Time
t
DH
10
10
10
-
-
-
ns
Write Cycle Time
t
WC
45
45
45
-
-
-
ns
WE High Hold Time
t
WH
15
15
15
-
-
-
ns
PROGRAM / ERASE CHARACTERISTICS
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Program Time
t
PROG
-
200
500
μ
s
μ
s
Dummy Busy Time for Multi Plane Program
t
DBSY
1
10
Number of Partial Program Cycles
in the Same Page
Main Array
Nop
-
-
1
cycle
Spare Array
-
-
2
cycles
Block Erase Time
t
BERS
-
2
3
ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K9F1208D0B-D TV 128C 128#22D SKT RECP
K9F1208D0B-Y 64M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F1208U0B-D 64M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F1208U0B-V 64M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F1208U0B-Y 64M x 8 Bit NAND Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K9F1208D0B-D 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F1208D0B-Y 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F1208Q0A 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
K9F1208Q0A-XXB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
K9F1208Q0B 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit NAND Flash Memory
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