參數(shù)資料
型號(hào)： K9F1208Q0B-H
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 64M x 8 Bit NAND Flash Memory
中文描述： 6400 × 8位NAND閃存
文件頁(yè)數(shù)： 44/45頁(yè)
文件大?。?/td> 767K
代理商： K9F1208Q0B-H
FLASH MEMORY
44
K9F1208U0B
K9F1208D0B
Advance
t
I
Rp(ohm)
Ibusy
tr
@ Vcc = 3.3V, Ta = 25
°
C , C
L
= 100pF
1K
2K
3K
4K
100n
200n
300n
3m
2m
1m
100
tf
200
300
400
3.6
3.6
3.6
3.6
2.4
1.2
0.8
0.6
Rp(min, 1.8V part) =
V
CC
(Max.) - V
OL
(Max.)
I
OL
+
Σ
I
L
=
1.85V
3mA
+
Σ
I
L
where I
L
is the sum of the input currents of all devices tied to the R/B pin.
Rp(max) is determined by maximum permissible limit of tr
Rp value guidance
Rp(min, 3.3V part) =
V
CC
(Max.) - V
OL
(Max.)
I
OL
+
Σ
I
L
=
3.2V
8mA
+
Σ
I
L
t
I
Rp(ohm)
Ibusy
tr
@ Vcc = 1.8V, Ta = 25
°
C , C
L
= 30pF
1K
2K
3K
4K
100n
200n
300n
3m
2m
1m
30
tf
60
90
120
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
0.85
0.57
0.43
Rp(min, 2.65V part) =
V
CC
(Max.) - V
OL
(Max.)
I
OL
+
Σ
I
L
=
2.5V
3mA
+
Σ
I
L
t
I
Rp(ohm)
Ibusy
tr
@ Vcc = 2.65V, Ta = 25
°
C , C
L
= 30pF
1K
2K
3K
4K
100n
200n
300n
3m
2m
1m
30
tf
60
90
120
2.3
2.3
2.3
2.3
2.3
1.1
0.75
0.55
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K9F1208Q0B-P 64M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F1208R0B TV 99C 97#22D 2#8(TWINAX) SKT
K9F1208B0B 64M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F1208U0 64M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F1208U0M-YIB0 64M x 8 Bit NAND Flash Memory
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參數(shù)描述
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K9F1208R0B 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F1208R0C 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:三星公司新版本NAND FLASH
K9F1208R0C-J 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
K9F1208R0C-JIB0000 制造商:Samsung SDI 功能描述:
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