參數(shù)資料
型號： K9F1208U0M-YIB0
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 64M x 8 Bit NAND Flash Memory
中文描述： 6400 × 8位NAND閃存
文件頁數(shù)： 26/41頁
文件大小： 1139K
代理商： K9F1208U0M-YIB0
K9F1208U0M-YCB0, K9F1208U0M-YIB0
FLASH MEMORY
26
Multi-Plane Block Erase Operation
Block Erase Setup Command
Erase Confirm Command
Read Multi-Plane
Status Command
Max. 4 times repeatable
60h
A
9
~ A
25
I/O
0
~
7
R/B
Address
60h
Address
60h
Address
60h
Address
D0h
71h
t
BERS
* For Multi-Plane Erase operation, Block address to be erased should be repeated before "D0H" command.
Ex.) Four-Plane Block Erase Operation
CE
CLE
R/B
I/O
0
~
7
WE
ALE
RE
60h
A
17
~ A
24
A
9
~ A
16
DOh
71h
I/O 0
Busy
t
WB
t
BERS
Page(Row)
Address
t
WC
≈
A
25
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PDF描述
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K9F1208U0A 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9F1208U0A-F Circular Connector; MIL SPEC:MIL-DTL-38999 Series III; Body Material:Metal; Series:TVPS00; No. of Contacts:32; Connector Shell Size:19; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Body Style:Straight
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參數(shù)描述
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