參數(shù)資料
型號(hào)： K9F1208U0M-YIB0
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 64M x 8 Bit NAND Flash Memory
中文描述： 6400 × 8位NAND閃存
文件頁(yè)數(shù)： 4/41頁(yè)
文件大?。?/td> 1139K
代理商： K9F1208U0M-YIB0
K9F1208U0M-YCB0, K9F1208U0M-YIB0
FLASH MEMORY
4
Revision No
0.8
Remark
History
1. In Read ID & Status Read timing diagram, tCLS is changed to tCLR.
Draft Date
Oct. 7th 2001
CE
CLE
I/O
0
~
7
ALE
RE
WE
90h
00h
ECh
Address. 1cycle
Maker code
tCEA
tAR1
tREA
tWHR
CE
WE
CLE
RE
I/O
0
~
7
70h
Status Output
tCLS
tCLH
tCS
tWP
tCH
tDS
tDH
tREA
tIR
tRHZ*
tCHZ*
tWHR
tCEA
tCLS
CE
CLE
I/O
0
~
7
ALE
RE
WE
90h
00h
ECh
Address. 1cycle
Maker code
tCEA
tAR1
tREA
tWHR
CE
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CLE
RE
I/O
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7
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Status Output
tCLR
tCLH
tCS
tWP
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tDS
tDH
tREA
tIR
tRHZ*
tCHZ*
tWHR
tCEA
tCLS
tCLS
tCLR
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PDF描述
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