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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K9F2808U0C-V |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 1,600 × 8位NAND閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 25/31頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 774K |
| 代理商： | K9F2808U0C-V |
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FLASH MEMORY
25
K9F2808U0C
Figure 9. Read2 Operation
50h
Data Output(Sequential)
Spare Field
CE
CLE
ALE
R/B
WE
Start Add.(3Cycle)
RE
t
R
Figure 8-1. Sequential Row Read1 Operation
00h
01h
A
0
~ A
7
& A
9
~ A23
I/Ox
R/B
Start Add.(3Cycle)
Data Output
Data Output
Data Output
1st
2nd
Nth
(528 Byte)
(528 Byte)
t
R
t
R
t
R
≈
(GND input=L, 00h Command)
Data Field
Spare Field
(GND input=L, 01h Command)
Data Field
Spare Field
(GND input=H, 00h Command)
Data Field
Spare Field
1st half array 2nd half array
1st
2nd
Nth
1st half array 2nd half array
1st
2nd
Nth
Block
1st half array 2nd half array
1st
2nd
Nth
I/Ox
CE must be held
low during tR
A
0
~ A
3
& A
9
~ A23
Main array
Data Field
Spare Field
A
4
~ A
7
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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