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參數(shù)資料
| 型號： | K9F5608D0C |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | TV 37C 37#16 PIN RECP |
| 中文描述： | 32M的× 8位，16米x 16位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 42/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 684K |
| 代理商： | K9F5608D0C |
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FLASH MEMORY
42
K9F5608D0C
K9F5608U0C
K9F5608Q0C
K9F5616D0C
K9F5616U0C
K9F5616Q0C
The device is designed to offer protection from any involuntary program/erase during power-transitions. An internal voltage detector
disables all functions whenever Vcc is below about 1.1V(1.8V device), 1.8V(2.65V device), 2V(3.3V device). WP pin provides hard-
ware protection and is recommended to be kept at V
IL
during power-up and power-down and recovery time of minimum 10
μ
s is
required before internal circuit gets ready for any command sequences as shown in Figure 18. The two step command sequence for
program/erase provides additional software protection.
Figure 18. AC Waveforms for Power Transition
V
CC
WP
High
≈
≈
1.8V device : ~ 1.5V
2.65V device : ~ 2.0V
WE
Data Protection & Power up sequence
3.3V device : ~ 2.5V
1.8V device : ~ 1.5V
2.65V device : ~ 2.0V
3.3V device : ~ 2.5V
10
μ
s
≈
≈
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F5616D0C | 32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5616D0C-D | 32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5616D0C-H | 32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5616D0C-P | 32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5616D0C-Y | 32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F5608D0C-D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5608D0C-H | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5608D0C-P | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5608D0C-Y | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5608D0D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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