參數(shù)資料
型號： K9F5608D0C
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： TV 37C 37#16 PIN RECP
中文描述： 32M的× 8位，16米x 16位NAND閃存
文件頁數(shù)： 5/42頁
文件大?。?/td> 684K
代理商： K9F5608D0C
FLASH MEMORY
5
K9F5608D0C
K9F5608U0C
K9F5608Q0C
K9F5616D0C
K9F5616U0C
K9F5616Q0C
63-Ball TBGA (measured in millimeters)
PACKAGE DIMENSIONS
9.00
±
0.10
#A1
Side View
Top View
0
±
0
0.45
±
0.05
4
3
2
1
A
B
C
D
G
Bottom View
1
±
0
63-
0.45
±
0.05
0.20
M
A B
0
1
±
0
0.80 x 5= 4.00
0.80
5
0
±
0
0.08MAX
B
A
2
2.00
9.00
±
0.10
0.80 x 9= 7.20
(Datum B)
(Datum A)
0
0
6
9.00
±
0.10
E
F
H
K9F56XXX0C-DCB0,HCB0/DIB0,HIB0
R/B
/WE
/CE
Vss
ALE
/WP
/RE
CLE
NC
NC
NC
NC
Vcc
NC
NC
I/O0
I/O1
NC
NC
VccQ
I/O5
I/O7
Vss
I/O6
I/O4
I/O3
I/O2
Vss
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
LOCKPRE
NC
NC
N.C
N.C N.C
N.C
N.C N.C
N.C
N.C
N.C N.C
N.C
N.C
N.C N.C
N.C
N.C
N.C N.C
N.C
N.C N.C
N.C
N.C
N.C N.C
N.C
N.C
N.C N.C
N.C
R/B
/WE
/CE
Vss
ALE
/WP
/RE
CLE
I/O7
I/O5
I/O12 IO14
Vcc
I/O10
I/O8
I/O1
I/O9
I/O0
I/O3 VccQ
I/O6 I/O15
Vss
I/O13
I/O4
I/O11
I/O2
Vss
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
LOCKPRE
NC
NC
X16
X8
3
4
5
6
1 2
A
B
C
D
G
H
E
F
3
4
5
6
1 2
A
B
C
D
G
H
E
F
Top View
Top View
PIN CONFIGURATION (TBGA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K9F5616D0C 32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9F5616D0C-D 32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9F5616D0C-H 32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9F5616D0C-P 32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9F5616D0C-Y 32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K9F5608D0C-D 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9F5608D0C-H 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9F5608D0C-P 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9F5608D0C-Y 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9F5608D0D 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit NAND Flash Memory
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