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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K9F5608Q0C-DCB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| 中文描述： | 512Mb/256Mb 1.8 NAND閃存勘誤表 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/39頁(yè) |
| 文件大小： | 655K |
| 代理商： | K9F5608Q0C-DCB0 |
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K9F5616U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5616U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
FLASH MEMORY
4
K9F5608U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5608U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0C-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
63-Ball TBGA (measured in millimeters)
PACKAGE DIMENSIONS
9.00
±
0.10
#A1
Side View
Top View
0
±
0
0.45
±
0.05
4
3
2
1
A
B
C
D
G
Bottom View
1
±
0
63-
0.45
±
0.05
0.20
M
A B
0
1
±
0
0.80 x 5= 4.00
0.80
5
0
±
0
0.08MAX
B
A
2
2.00
9.00
±
0.10
0.80 x 9= 7.20
(Datum B)
(Datum A)
0
0
6
9.00
±
0.10
E
F
H
K9F56XXX0C-DCB0,HCB0/DIB0,HIB0
R/B
/WE
/CE
Vss
ALE
/WP
/RE
CLE
NC
LOCKPRE
NC
NC
NC
Vcc
NC
NC
I/O0
I/O1
NC
NC
VccQ
I/O5
I/O7
Vss
I/O6
I/O4
I/O3
I/O2
Vss
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
N.C
N.C N.C
N.C
N.C N.C
N.C
N.C
N.C N.C
N.C
N.C
N.C N.C
N.C
N.C
N.C N.C
N.C
N.C N.C
N.C
N.C
N.C N.C
N.C
N.C
N.C N.C
N.C
R/B
/WE
/CE
Vss
ALE
/WP
/RE
CLE
I/O7
LOCKPRE
I/O5
I/O12 IO14
Vcc
I/O10
I/O8 I/O1
I/O9
I/O0
I/O3 VccQ
I/O6 I/O15
Vss
I/O13
I/O4
I/O11
I/O2
Vss
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
X16
X8
PIN CONFIGURATION (TBGA)
3
4
5
6
1 2
A
B
C
D
G
H
E
F
3
4
5
6
1 2
A
B
C
D
G
H
E
F
Top View
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| K9F5608Q0C-DIB0 | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
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| K9F5608U0C-DIB0 | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| K9F5608Q0C-HCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608Q0C-HIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
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